На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NCV4949DG | NCV4949DR2 | NCV4949DR2G | NCV4949DWR2 | NCV4949DWR2G | NCV4949PDG | NCV4949PDR2G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 20-SOIC (7.5мм ширина) | 20-SOIC (7.5мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC |
Серия микросхем | Серия | |||||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 125 | ||||||
Выходное напряжение | Uout | 5 В | ||||||
Выходной ток | IOUT | =100 мА; <105 мА | ||||||
Каналов | Каналов | 1 | ||||||
Проходное напряжение | Udropout | 300 мВ100mA | ||||||
Тип регулятора | Тип регулятора | |||||||