L4949

L4949, L4949D, L4949DG, L4949DR2, L4949DR2G, L4949E, L4949ED, L4949ED013TR, L4949EDMITTR, L4949EDTRWTR, L4949EP, L4949EP013TR, L4949N, L4949NG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрL4949DL4949DGL4949DR2L4949DR2GL4949EL4949EDL4949ED013TRL4949EDMITTRL4949EDTRWTRL4949EPL4949EP013TRL4949NL4949NG
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-DIP (300 mil)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)20-SOIC (7.5мм ширина)20-SOIC (7.5мм ширина)8-DIP (300 mil)8-DIP (300 mil)
Серия микросхем
Серия
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsON SemiconductorON Semiconductor
Рабочая температура
twork
-40 ~ 125
Выходное напряжение
Uout
5 В
Выходной ток
IOUT
=100 мА; <105 мА=100 мА; <105 мА=100 мА; <105 мА=100 мА; <105 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <120 мА=100 мА; <105 мА=100 мА; <105 мА
Каналов
Каналов
1
Проходное напряжение
Udropout
300 мВ100mA
Тип регулятора
Тип регулятора