Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р высокочастотные транзисторы 2T3162A и структуры 2Т3162А-5 предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами КТ-1-7 (2Т3162А) и в бескорпусном исполнении на пластине, кристаллы неразделенные (2Т3162А-5).
Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.339.596 ТУ. Знаком ОСМ обозначаются изделия повышенной надежности. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.
Схема расположения выводов 2Т3162 в корпусе КТ-1-7 Схема 2Т3162А-5 в бескорпусном исполненииПараметр | 2Т3162 | |
---|---|---|
Ничего не найдено. |