На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NAND04GW3B2DN6E | NAND04GW3C2BN6E | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 48-TSOP | |
Производитель | Производитель | Numonyx/ST Micro | |
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | |
Напряжение питания | Vsup | 2.7 В ~ 3.6 В | |
Организация памяти | Структура | 4G (512M x 8) | |
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | Параллельный | |
Тип PROM | Тип | FLASH - Nand | |