На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | M95512-RDW6P | M95512-RDW6TP | M95512-RMN6P | M95512-RMN6TP | M95512-WDW6TP | M95512-WMN6P | M95512-WMN6TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||
Напряжение питания | Vsup | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В |
Организация памяти | Структура | 64k x 8 | ||||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | SPI, 3-Wire Serial | ||||||
Частота | f | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 5 МГц | 5 МГц | 5 МГц |
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||