На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | M95010-RDW6TP | M95010-RMN6P | M95010-RMN6TP | M95010-WDW6TP | M95010-WMN6P | M95010-WMN6TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | |||||
Напряжение питания | Vsup | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В |
Организация памяти | Структура | 128 x 8 | |||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | SPI, 3-Wire Serial | |||||
Частота | f | 5 МГц | 5 МГц | 5 МГц | 10 МГц | 10 МГц | 10 МГц |
Тип PROM | Тип | EEPROM | |||||