На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | M93S56-MN6 | M93S56-WBN6 | M93S56-WBN6P | M93S56-WMN6 | M93S56-WMN6P | M93S56-WMN6T | M93S56-WMN6TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-DIP (300 mil) | 8-DIP (300 mil) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||
Напряжение питания | Vsup | 4.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В |
Организация памяти | Структура | 128 x 16 | ||||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | Microwire, 3-Wire Serial | ||||||
Частота | f | 1 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц |
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||