M24C02

M24C02, M24C02-BN6, M24C02-MN6T, M24C02-RDS6G, M24C02-RDS6TG, M24C02-RDW6T, M24C02-RMB6TG, M24C02-RMN6P, M24C02-RMN6TP, M24C02-WBN6, M24C02-WBN6P, M24C02-WDW6T, M24C02-WDW6TP, M24C02-WMN6, M24C02-WMN6P, M24C02-WMN6T, M24C02-WMN6TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрM24C02-BN6M24C02-MN6TM24C02-RDS6GM24C02-RDS6TGM24C02-RDW6TM24C02-RMB6TGM24C02-RMN6PM24C02-RMN6TPM24C02-WBN6M24C02-WBN6PM24C02-WDW6TM24C02-WDW6TPM24C02-WMN6M24C02-WMN6PM24C02-WMN6TM24C02-WMN6TP
Корпус микросхемы
Корпус
8-DIP (300 mil)8-SOIC (3.9мм ширина)8-TSSOP8-TSSOP8-TSSOP8-UFDFPN8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-DIP (300 mil)8-DIP (300 mil)8-TSSOP8-TSSOP8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Рабочая температура
twork
-40 ~ 85
Напряжение питания
Vsup
4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В1.8 В ~ 5.5 В1.8 В ~ 5.5 В1.8 В ~ 5.5 В1.8 В ~ 5.5 В1.8 В ~ 5.5 В1.8 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В2.5 В ~ 5.5 В
Организация памяти
Структура
256 x 8
Интерфейс подключения памяти
Интерфейс
I²C, 2-Wire Serial
Частота
f
400 кГц
Тип PROM
Тип
EEPROM