LH28F160BJHE-TTL90

LH28F160, LH28F160BJE-BTL90, LH28F160BJHE-TTL90, LH28F160S3HNS-L10, LH28F160S3HNS-TV, LH28F160S3HT-L10A, LH28F160S3HT-TF, LH28F160S3T-L10A, LH28F160S5HNS-L70, LH28F160S5HNS-S1, LH28F160S5HT-L70, LH28F160S5HT-TW, LH28F160S5T-L70A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		LH28F160BJE-BTL90	LH28F160BJHE-TTL90	LH28F160S3HNS-L10	LH28F160S3HNS-TV	LH28F160S3HT-L10A	LH28F160S3HT-TF	LH28F160S3T-L10A	LH28F160S5HNS-L70	LH28F160S5HNS-S1	LH28F160S5HT-L70	LH28F160S5HT-TW	LH28F160S5T-L70A
Корпус микросхемы	Корпус	48-TSOP	48-TSOP	56-SSOP	56-SSOP	56-TSOP	56-TSOP	56-TSOP	56-SSOP	56-SSOP	56-TSOP	56-TSOP	56-TSOP
Производитель	Производитель	Sharp Microelectronics
Рабочая температура	t_work	0 ~ 70	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	0 ~ 70	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	0 ~ 70
Напряжение питания	V_sup	2.7 В ~ 3.6 В	2.7 В ~ 3.6 В	3 В ~ 3.6 В	2.7 В ~ 3.6 В	3 В ~ 3.6 В	3 В ~ 3.6 В	3 В ~ 3.6 В	4.75 В ~ 5.25 В	4.5 В ~ 5.5 В	4.75 В ~ 5.25 В	4.5 В ~ 5.5 В	4.75 В ~ 5.25 В
Время выборки	T_Q	90 нс	90 нс	100 нс	100 нс	100 нс	100 нс	100 нс	70 нс	70 нс	70 нс	70 нс	70 нс
Организация памяти	Структура	16M (2M x 8 or 1M x 16)
Интерфейс подключения памяти	Интерфейс	Параллельный
Тип PROM	Тип	Boot Block FLASH	Boot Block FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH