На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BR24C02-DS6TP | BR24C02-DW6TP | BR24C02-MN6TP | BR24C02-RDS6TP | BR24C02-RDW6TP | BR24C02-RMN6TP | BR24C02-WDS6TP | BR24C02-WDW6TP | BR24C02-WMN6TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | ||||||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||||
Напряжение питания | Vsup | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В |
Организация памяти | Структура | 256 x 8 | ||||||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | I²C, 2-Wire Serial | ||||||||
Частота | f | 400 кГц | 400 кГц | 400 кГц | 100 кГц | 100 кГц | 100 кГц | 400 кГц | 400 кГц | 400 кГц |
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||||