На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 11AA080-I/MS | 11AA080-I/P | 11AA080-I/SN | 11AA080T-I/MNY | 11AA080T-I/MS | 11AA080T-I/SN | 11AA080T-I/TT | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | 8-DIP (300 mil) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TDFN | 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | 8-SOIC (3.9мм ширина) | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | Microchip Technology | ||||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||
Напряжение питания | Vsup | 1.8 В ~ 5.5 В | ||||||
Организация памяти | Структура | 1k x 8 | ||||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | UNI/O™ (Single Wire) | ||||||
Частота | f | 100 кГц | ||||||
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||