На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TC55VEM416AXGN55 | TC55VEM416BXGN55LA | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 48-BGA | |
Производитель | Производитель | Toshiba | |
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | |
Напряжение питания | Vsup | 2.3 В ~ 3.6 В | 1.65 В ~ 2.2 В |
Время выборки | TQ | 55 нс | |
Организация памяти | Структура | 16M (1M x 16) | |
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | Параллельный | |
Тип RAM | Тип | SRAM | |