На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DS1270AB-100 | DS1270AB-70# | DS1270AB-70IND# | DS1270W-100 | DS1270W-100IND | DS1270W-150 | DS1270Y-100# | DS1270Y-70# | DS1270Y-70IND# | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 36-DIP Module (600 mil), 36-EDIP | ||||||||
Производитель | Производитель | Maxim Integrated Products | ||||||||
Рабочая температура | twork | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | -40 ~ 85 | 0 ~ 70 | -40 ~ 85 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | -40 ~ 85 |
Напряжение питания | Vsup | 4.75 В ~ 5.25 В | 4.75 В ~ 5.25 В | 4.75 В ~ 5.25 В | 3 В ~ 3.6 В | 3 В ~ 3.6 В | 3 В ~ 3.6 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В |
Время выборки | TQ | 100 нс | 70 нс | 70 нс | 100 нс | 100 нс | 150 нс | 100 нс | 70 нс | 70 нс |
Организация памяти | Структура | 16M (2M x 8) | ||||||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | Параллельный | ||||||||
Тип RAM | Тип | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | ||||||||