DS1220AB-100IND

DS1220, DS1220AB-100, DS1220AB-100IND, DS1220AB-120, DS1220AB-150+, DS1220AB-150IND, DS1220AB-200+, DS1220AB-200IND+, DS1220AD-100+, DS1220AD-100IND, DS1220AD-120+, DS1220AD-150, DS1220AD-200+, DS1220AD-200IND, DS1220Y-100IND+, DS1220Y-200+, DS1220Y-200IND+

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDS1220AB-100DS1220AB-100INDDS1220AB-120DS1220AB-150+DS1220AB-150INDDS1220AB-200+DS1220AB-200IND+DS1220AD-100+DS1220AD-100INDDS1220AD-120+DS1220AD-150DS1220AD-200+DS1220AD-200INDDS1220Y-100IND+DS1220Y-200+DS1220Y-200IND+
Корпус микросхемы
Корпус
24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP (600 mil) Module24-DIP Module24-DIP Module24-DIP Module
Производитель
Производитель
Maxim Integrated Products
Рабочая температура
twork
0 ~ 70-40 ~ 850 ~ 700 ~ 70-40 ~ 850 ~ 70-40 ~ 850 ~ 70-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 70-40 ~ 85-40 ~ 850 ~ 70-40 ~ 85
Напряжение питания
Vsup
4.75 В ~ 5.25 В4.75 В ~ 5.25 В4.75 В ~ 5.25 В4.75 В ~ 5.25 В4.75 В ~ 5.25 В4.75 В ~ 5.25 В4.75 В ~ 5.25 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В4.5 В ~ 5.5 В
Время выборки
TQ
100 нс100 нс120 нс150 нс150 нс200 нс200 нс100 нс100 нс120 нс150 нс200 нс200 нс100 нс200 нс200 нс
Организация памяти
Структура
2k x 8
Интерфейс подключения памяти
Интерфейс
Параллельный
Тип RAM
Тип
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)