CY7C1412AV18-167BZC

CY7C1412, CY7C1412AV18-167BZC, CY7C1412AV18-167BZXI, CY7C1412AV18-200BZC, CY7C1412AV18-200BZI, CY7C1412AV18-200BZXC, CY7C1412AV18-250BZC, CY7C1412AV18-250BZXC, CY7C1412AV18-300BZXC, CY7C1412BV18-167BZC, CY7C1412BV18-167BZXI, CY7C1412BV18-200BZC, CY7C1412BV18-200BZI, CY7C1412BV18-200BZXC, CY7C1412BV18-250BZC, CY7C1412BV18-250BZXC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCY7C1412AV18-167BZCCY7C1412AV18-167BZXICY7C1412AV18-200BZCCY7C1412AV18-200BZICY7C1412AV18-200BZXCCY7C1412AV18-250BZCCY7C1412AV18-250BZXCCY7C1412AV18-300BZXCCY7C1412BV18-167BZCCY7C1412BV18-167BZXICY7C1412BV18-200BZCCY7C1412BV18-200BZICY7C1412BV18-200BZXCCY7C1412BV18-250BZCCY7C1412BV18-250BZXC
Корпус микросхемы
Корпус
165-FBGA
Производитель
Производитель
Cypress Semiconductor Corp
Рабочая температура
twork
0 ~ 70-40 ~ 850 ~ 70-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 70-40 ~ 850 ~ 70-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 70
Напряжение питания
Vsup
1.7 В ~ 1.9 В
Организация памяти
Структура
36M (2M x 18)
Интерфейс подключения памяти
Интерфейс
Параллельный
Частота
f
167 МГц167 МГц200 МГц200 МГц200 МГц250 МГц250 МГц300 МГц167 МГц167 МГц200 МГц200 МГц200 МГц250 МГц250 МГц
Тип RAM
Тип
SRAM - Synchronous, QDR II