На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BQ4011LYMA-70N | BQ4011MA-100 | BQ4011MA-150 | BQ4011YMA-100 | BQ4011YMA-150 | BQ4011YMA-150N | BQ4011YMA-200 | BQ4011YMA-70 | BQ4011YMA-70N | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 28-DIP Module (600 mil) | ||||||||
Производитель | Производитель | Texas Instruments | ||||||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 85 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | -40 ~ 85 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | -40 ~ 85 |
Напряжение питания | Vsup | 3 В ~ 3.6 В | 4.75 В ~ 5.5 В | 4.75 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В |
Время выборки | TQ | 70 нс | 100 нс | 150 нс | 100 нс | 150 нс | 150 нс | 200 нс | 70 нс | 70 нс |
Организация памяти | Структура | 32k x 8 | ||||||||
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | Параллельный | ||||||||
Тип RAM | Тип | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | ||||||||