MT48H8M16LFB4-10

MT48H8M16, MT48H8M16LFB4-10, MT48H8M16LFB4-6IT:K, MT48H8M16LFB4-6IT:KTR, MT48H8M16LFB4-6:K, MT48H8M16LFB4-6:KTR, MT48H8M16LFB4-8IT:JTR, MT48H8M16LFB4-8ITTR, MT48H8M16LFB4-8:JTR, MT48H8M16LFB4-8TR, MT48H8M16LFF4-10, MT48H8M16LFF4-10IT, MT48H8M16LFF4-8, MT48H8M16LFF4-8IT

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMT48H8M16LFB4-10MT48H8M16LFB4-6IT:KMT48H8M16LFB4-6IT:KTRMT48H8M16LFB4-6:KMT48H8M16LFB4-6:KTRMT48H8M16LFB4-8IT:JTRMT48H8M16LFB4-8ITTRMT48H8M16LFB4-8:JTRMT48H8M16LFB4-8TRMT48H8M16LFF4-10MT48H8M16LFF4-10ITMT48H8M16LFF4-8MT48H8M16LFF4-8IT
Корпус микросхемы
Корпус
54-VFBGA
Производитель
Производитель
Micron Technology Inc
Рабочая температура
twork
0 ~ 70-40 ~ 85-40 ~ 850 ~ 700 ~ 70-40 ~ 85-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 70-40 ~ 850 ~ 70-40 ~ 85
Напряжение питания
Vsup
1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.95 В1.7 В ~ 1.95 В1.7 В ~ 1.95 В1.7 В ~ 1.95 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В1.7 В ~ 1.9 В
Организация памяти
Структура
128M (8Mx16)
Интерфейс подключения памяти
Интерфейс
Параллельный
Частота
f
100 МГц166 МГц166 МГц166 МГц166 МГц125 МГц125 МГц125 МГц125 МГц100 МГц100 МГц125 МГц125 МГц
Тип RAM
Тип
Mobile SDRAM