MT47H64M8B6-25E:DTR

MT47H64M8, MT47H64M8B6-25:DTR, MT47H64M8B6-25E:DTR, MT47H64M8B6-25EIT:DTR, MT47H64M8B6-25EL:DTR, MT47H64M8B6-37E:DTR, MT47H64M8B6-37EIT:DTR, MT47H64M8B6-3:DTR, MT47H64M8B6-3IT:DTR, MT47H64M8B6-5E:DTR, MT47H64M8B6-5EIT:DTR, MT47H64M8CB-25:B, MT47H64M8CB-25:BTR, MT47H64M8CB-37E:B, MT47H64M8CB-37E:BTR, MT47H64M8CB-37EIT:B, MT47H64M8CB-37EIT:BTR, MT47H64M8CB-37V:B, MT47H64M8CB-37V:BTR, MT47H64M8CB-3:B, MT47H64M8CB-3:BTR, MT47H64M8CB-5E:B, MT47H64M8CB-5E:BTR, MT47H64M8CB-5EIT:B, MT47H64M8CB-5EIT:BTR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMT47H64M8B6-25:DTRMT47H64M8B6-25E:DTRMT47H64M8B6-25EIT:DTRMT47H64M8B6-25EL:DTRMT47H64M8B6-37E:DTRMT47H64M8B6-37EIT:DTRMT47H64M8B6-3:DTRMT47H64M8B6-3IT:DTRMT47H64M8B6-5E:DTRMT47H64M8B6-5EIT:DTRMT47H64M8CB-25:BMT47H64M8CB-25:BTRMT47H64M8CB-37E:BMT47H64M8CB-37E:BTRMT47H64M8CB-37EIT:BMT47H64M8CB-37EIT:BTRMT47H64M8CB-37V:BMT47H64M8CB-37V:BTRMT47H64M8CB-3:BMT47H64M8CB-3:BTRMT47H64M8CB-5E:BMT47H64M8CB-5E:BTRMT47H64M8CB-5EIT:BMT47H64M8CB-5EIT:BTR
Корпус микросхемы
Корпус
60-FBGA
Производитель
Производитель
Micron Technology Inc
Рабочая температура
twork
0 ~ 850 ~ 85-40 ~ 850 ~ 850 ~ 85-40 ~ 850 ~ 85-40 ~ 850 ~ 85-40 ~ 850 ~ 850 ~ 850 ~ 850 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 850 ~ 850 ~ 850 ~ 850 ~ 850 ~ 850 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 85
Напряжение питания
Vsup
1.7 В ~ 1.9 В
Время выборки
TQ
2.5 нс2.5 нс2.5 нс2.5 нс3.75 нс3.75 нс3 нс3 нс5 нс5 нс2.5 нс2.5 нс3.75 нс3.75 нс3.75 нс3.75 нс3.75 нс3.75 нс3 нс3 нс5 нс5 нс5 нс5 нс
Организация памяти
Структура
512M (64M x 8)
Интерфейс подключения памяти
Интерфейс
Параллельный
Тип RAM
Тип
DDR2 SDRAM