На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MT47H512M4THN-37E:ETR | MT47H512M4THN-3:ETR | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 63-FBGA | |
Производитель | Производитель | Micron Technology Inc | |
Рабочая температура | twork | 0 ~ 85 | |
Напряжение питания | Vsup | 1.7 В ~ 1.9 В | |
Время выборки | TQ | 3.75 нс | 3 нс |
Организация памяти | Структура | 2G (512M x 4) | |
Интерфейс подключения памяти | Интерфейс | Параллельный | |
Тип RAM | Тип | DDR2 SDRAM | |