На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 74HCT640D,652 | 74HCT640D,653 | 74HCT640DB,112 | 74HCT640DB,118 | 74HCT640N,652 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Корпус микросхемы | Корпус | 20-SOIC (7.5мм ширина) | 20-SOIC (7.5мм ширина) | 20-SSOP | 20-SSOP | 20-DIP (300 mil) |
Серия микросхем | Серия | 74HCT | ||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Рабочая температура | twork | -40 ~ 125 | ||||
Напряжение питания | Vsup | 4.5 В ~ 5.5 В | ||||
Выходной ток | IOUT | 6 мА ~ 6 мА | ||||
Разрядность | Разрядность | 8 | ||||
Каналов | Каналов | 1 | ||||
Тип буфера | Тип | Transceiver, Inverting | ||||