На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | UPA862TD-A | UPA862TD-T3-A | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TD | |
Производитель | Производитель | NEC | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <30 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <6 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <180 мВт | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 12 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <100 мА | |
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора | fh212 | 6.5 ГГц | |
Постоянная мощность, рассеяния второго транзистора | P2 | <190 мВт | |
Коэффициент усиления | KdB | ||
Напряжение коллектор-эмиттер второго транзистора | UCEO2 | <5.5 В | |