На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NESG210719-A | NESG210719-T1-A | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 3-XSOF, MiniMold | |
Производитель | Производитель | NEC | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <5 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1405mA, 1V | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 12 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 900 мдБ ~ 1.5 дБ2GHz | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | 6.5 дБ ~ 8 дБ | |