На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NESG2101M05-A | NESG2101M05-T1-A | NESG2101M16-A | NESG2101M16-T3-A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | M05 | M05 | M16 | M16 |
Производитель | Производитель | NEC | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <5 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <190 мВт | <190 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >13015mA, 2V | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 17 ГГц | |||
Коэффициент шума | NF | 900 мдБ ~ 1.2 дБ2GHz | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Коэффициент усиления | KdB | 19 дБ | 19 дБ | 11 дБ ~ 13 дБ | 11 дБ ~ 13 дБ |