NESG2031M05-A

NESG2031, NESG2031M05-A, NESG2031M05-T1-A, NESG2031M16-A, NESG2031M16-T3-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNESG2031M05-ANESG2031M05-T1-ANESG2031M16-ANESG2031M16-T3-A
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343M16M16
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<35 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<5 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<175 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>1305mA, 2V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
25 ГГц
Коэффициент шума
NF
800 мдБ ~ 1.1 дБ2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
15 дБ ~ 17 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
13 dBm