NE94430

NE94430, NE94430-T1-A, NE94430-T2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE94430-T1-ANE94430-T2
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-323
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>405mA, 10V
Коэффициент шума
NF
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB