На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE856M02-AZ | NE856M02-T1-AZ | NE856M03-A | NE856M03-T1-A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-89 | SOT-89 | 3-XSOF, MiniMold | 3-XSOF, MiniMold |
Производитель | Производитель | NEC | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <125 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >807mA, 3V | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 4.5 ГГц | |||
Коэффициент шума | NF | 1.4 дБ ~ 2.5 дБ1GHz | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Коэффициент усиления | KdB | ||||