На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE85639-A | NE85639R-T1 | NE85639R-T1-A | NE85639-T1-A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143R | SOT-143R | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA |
Производитель | Производитель | NEC | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >5020mA, 10V | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | |||
Коэффициент шума | NF | 1.5 дБ ~ 2.1 дБ1GHz | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Коэффициент усиления | KdB | 13.5 дБ ~ 8.5 дБ | |||