На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE85633L-A | NE85633-R24-A | NE85633-R25-A | NE85633-T1B | NE85633-T1B-A | NE85633-T1B-R24-A | NE85633-T1B-R25-A | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | ||||||
Производитель | Производитель | NEC | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >5020mA, 10V | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 7 ГГц | ||||||
Коэффициент шума | NF | 1.4 дБ ~ 2 дБ1GHz | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||||||
Коэффициент усиления | KdB | 9 дБ | ||||||