На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE85630-A | NE85630-R24-A | NE85630-R25-A | NE85630-T1 | NE85630-T1-A | NE85630-T1-R24-A | NE85630-T1-R25-A | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-323 | ||||||
Производитель | Производитель | NEC | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >4020mA, 10V | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 4.5 ГГц | ||||||
Коэффициент шума | NF | 1.3 дБ ~ 2.2 дБ1GHz ~ 2GHz | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||||||
Коэффициент усиления | KdB | 12 дБ ~ 6 дБ | ||||||