На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE85619-A | NE85619-T1 | NE85619-T1-A | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 3-XSOF, MiniMold | Поверхностный монтаж | Mini 3P |
Производитель | Производитель | NEC | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >8020mA, 10V | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 4.5 ГГц | ||
Коэффициент шума | NF | 1.4 дБ ~ 2.2 дБ1GHz ~ 2GHz | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||
Коэффициент усиления | KdB | 12.5 дБ ~ 6.5 дБ | ||