NE851M03-T1-A

NE851, NE851M03-A, NE851M03-T1-A, NE851M13-A, NE851M13-T3-A, NE851M33-A, NE851M33-T3-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE851M03-ANE851M03-T1-ANE851M13-ANE851M13-T3-ANE851M33-ANE851M33-T3-A
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363M13M13M33M33
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<5.5 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<140 мВт<140 мВт<130 мВт<130 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>1005mA, 1V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
6.5 ГГц
Коэффициент шума
NF
1.9 дБ ~ 2.5 дБ2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
4.5 дБ ~ 5.5 дБ