NE68819-T1

NE68819, NE68819-A, NE68819-T1, NE68819-T1-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE68819-ANE68819-T1NE68819-T1-A
Корпус микросхемы
Корпус
3-XSOF, MiniMoldПоверхностный монтажMini 3P
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<6 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<125 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>803mA, 1V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
9.5 ГГц
Коэффициент шума
NF
1.7 дБ ~ 2.5 дБ2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
3 дБ ~ 4 дБ