NE687M03-T1-A

NE687, NE687M03-A, NE687M03-T1-A, NE687M13-A, NE687M13-T3-A, NE687M33-A, NE687M33-T3-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE687M03-ANE687M03-T1-ANE687M13-ANE687M13-T3-ANE687M33-ANE687M33-T3-A
Корпус микросхемы
Корпус
3-XSOF, MiniMold3-XSOF, MiniMoldПоверхностный монтажПоверхностный монтажПоверхностный монтажПоверхностный монтаж
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<30 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<3 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<90 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>7020mA, 2V>7020mA, 2V>7020mA, 2V>7020mA, 2V>7010mA, 1V>7010mA, 1V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
14 ГГц14 ГГц14 ГГц14 ГГц12 ГГц12 ГГц
Коэффициент шума
NF
1.3 дБ ~ 2 дБ2GHz1.3 дБ ~ 2 дБ2GHz1.4 дБ ~ 2 дБ2GHz1.4 дБ ~ 2 дБ2GHz1.5 дБ ~ 2 дБ2GHz1.5 дБ ~ 2 дБ2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
8.5 дБ ~ 10 дБ8.5 дБ ~ 10 дБ8.5 дБ ~ 10 дБ8.5 дБ ~ 10 дБ7 дБ ~ 9 дБ7 дБ ~ 9 дБ