NE685

NE685, NE685M03-A, NE685M03-T1-A, NE685M13-A, NE685M13-T3-A, NE685M33-A, NE685M33-T3-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE685M03-ANE685M03-T1-ANE685M13-ANE685M13-T3-ANE685M33-ANE685M33-T3-A
Корпус микросхемы
Корпус
3-XSOF, MiniMold3-XSOF, MiniMoldПоверхностный монтажПоверхностный монтажПоверхностный монтажПоверхностный монтаж
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<30 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<5 В<5 В<6 В<6 В<6 В<6 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<125 мВт<125 мВт<140 мВт<140 мВт<130 мВт<130 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>7510mA, 3V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
12 ГГц
Коэффициент шума
NF
1.5 дБ ~ 2.5 дБ2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB