NE68119

NE68119, NE68119-A, NE68119-T1, NE68119-T1-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE68119-ANE68119-T1NE68119-T1-A
Корпус микросхемы
Корпус
Поверхностный монтаж
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<65 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<10 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>8020mA, 8V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
7 ГГц
Коэффициент шума
NF
1.4 дБ ~ 1.8 дБ1GHz ~ 2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
14 дБ ~ 10 дБ