На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE662M04-A | NE662M04-T2-A | NE662M16-A | NE662M16-T3-A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | M04 | |||
Производитель | Производитель | NEC | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <35 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <3.3 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <115 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >505mA, 2V | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 25 ГГц | |||
Коэффициент шума | NF | 1.1 дБ ~ 1.5 дБ2GHz | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Коэффициент усиления | KdB | 20 дБ | |||
Compression Point (P1dB) | P1dB | 11 dBm | |||