NE58219

NE58219, NE58219-A, NE58219-T1-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE58219-ANE58219-T1-A
Корпус микросхемы
Корпус
1608
Производитель
Производитель
NEC
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<60 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<12 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>605mA, 5V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
5 ГГц
Коэффициент шума
NF
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB