На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF581A | MRF581G | |
|---|---|---|---|
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2.5 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >9050mA, 5V | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 5 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 3 дБ ~ 3.5 дБ500MHz | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | 13 дБ ~ 15.5 дБ | |