MPSH10_D26Z

MPSH10, MPSH10_D26Z, MPSH10_D27Z, MPSH10_D74Z, MPSH10_D75Z, MPSH10G, MPSH10RLRA, MPSH10RLRAG, MPSH10RLRP, MPSH10RLRPG, MPSH10ZX

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMPSH10_D26ZMPSH10_D27ZMPSH10_D74ZMPSH10_D75ZMPSH10GMPSH10RLRAMPSH10RLRAGMPSH10RLRPMPSH10RLRPGMPSH10ZX
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<25 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>604mA, 10V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
650 МГц
Коэффициент шума
NF
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB