На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBTH10-4LT1 | MMBTH10-4LT1G | MMBTH10-7 | MMBTH10-7-F | MMBTH10LT1 | MMBTH10LT1G | MMBTH10LT3G | MMBTH10M3T5G | MMBTH10RG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | ||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | <25 В | <25 В | <25 В | <25 В | <25 В | <25 В | <25 В | <40 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <640 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >604mA, 10V | >1204mA, 10V | >604mA, 10V | >604mA, 10V | >604mA, 10V | >604mA, 10V | >604mA, 10V | >604mA, 10V | >501mA, 6V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 650 МГц | 800 МГц | 650 МГц | 650 МГц | 650 МГц | 650 МГц | 650 МГц | 650 МГц | 450 МГц |
Коэффициент шума | NF | |||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||||||||
Коэффициент усиления | KdB | |||||||||