На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HSG1002VE-TL-E | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-MFP |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <35 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <3.5 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1005mA, 2V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 38 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 1.2 дБ ~ 1.8 дБ5.8GHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB | 1.95 дБ |