На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BGB540E6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <30 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4.5 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <120 мВт |
Коэффициент шума | NF | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB | 17.5 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 12 dBm |