На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFT92,215 | BFT92E6327 | BFT92W,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <25 мА | <25 мА | <35 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | (не задано) | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >2014mA, 10V | (не задано) | >2015mA, 10V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 5 ГГц | (не задано) | 4 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 2.5 дБ500MHz | 2.5 дБ500MHz | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||
Коэффициент усиления | KdB | 18 дБ | 17 дБ | |