BFS483E6327

BFS483, BFS483E6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBFS483E6327
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<65 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<12 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<450 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>7015mA, 8V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
8 ГГц
Коэффициент шума
NF
900 мдБ ~ 1.4 дБ900MHz ~ 1.8GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Коэффициент усиления
KdB
19 дБ