На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFS466L6E6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TSLP-6-1 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4.5 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 22 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 1.1 дБ ~ 1.4 дБ1.8GHz ~ 3GHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <35 мА |
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора | fh212 | 14 ГГц |
Постоянная мощность, рассеяния второго транзистора | P2 | <210 мВт |
Коэффициент усиления | KdB | 14.5 дБ ~ 10 дБ |
Напряжение коллектор-эмиттер второго транзистора | UCEO2 | <6 В |