На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFS386L6E6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TSLP-6-1 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <35 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <6 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <210 мВт |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 14 ГГц |
Коэффициент шума | NF | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <80 мА |
Постоянная мощность, рассеяния второго транзистора | P2 | <380 мВт |
Коэффициент усиления | KdB | 14.5 дБ ~ 10 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 9 dBm |