BFR93AE6327

BFR93, BFR93A,215, BFR93AE6327, BFR93AR,215, BFR93AW,115, BFR93AWE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBFR93A,215BFR93AE6327BFR93AR,215BFR93AW,115BFR93AWE6327
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<35 мА<90 мА<35 мА<35 мА<90 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<12 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<300 мВт<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>4030mA, 5V>7030mA, 8V>4030mA, 5V>4030mA, 5V>7030mA, 8V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
6 ГГц6 ГГц6 ГГц5 ГГц6 ГГц
Коэффициент шума
NF
1.9 дБ1GHz1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz1.9 дБ1GHz1.5 дБ1GHz1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB