BFR92AW,115

BFR92, BFR92A,215, BFR92AW,115, BFR92AW,135, BFR92PE6327, BFR92WE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBFR92A,215BFR92AW,115BFR92AW,135BFR92PE6327BFR92WE6327
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23SOT-323
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<25 мА<25 мА<25 мА<45 мА<45 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<300 мВт<280 мВт<280 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>6515mA, 10V>6515mA, 10V>6515mA, 10V>7015mA, 8V>7015mA, 8V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
5 ГГц
Коэффициент шума
NF
2.1 дБ1GHz2 дБ1GHz2 дБ1GHz1.4 дБ ~ 2 дБ900MHz ~ 1.8GHz1.4 дБ ~ 2 дБ900MHz ~ 1.8GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB