На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR750L3RHE6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TSLP-3-9 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <90 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <360 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >16060mA, 3V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 37 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 600 мдБ ~ 1.1 дБ1.8GHz ~ 6GHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB | 21 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 16.5 dBm |