На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR740L3E6327 | BFR740L3RHE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TSLP-3-1 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <30 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <160 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >16025mA, 3V | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 42 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 500 мдБ ~ 800 мдБ1.8GHz ~ 6Ghz | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | 24 дБ | 24.5 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 11 dBm | |